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12-INCH WAFER RECLAIM SERVICE
12英寸晶圓再生服務

晶圓再生業(yè)務

再生晶圓是晶圓廠各生產環(huán)節(jié)的重要材料，可用于監(jiān)控制程參數與生產環(huán)境等，同時可以減少成本消耗，是提高產品良率、降低成本的關鍵要素。因此，隨著國內半導體產能不斷擴增，再生晶圓的需求也跟著增加。

晶圓再生就是將生產過程中用過的擋控片回收，經過一系列精密的加工工藝，將擋控片表面的膜層、金屬元素、顆粒殘留等去掉，使他們能夠重新具備測試和維持機臺穩(wěn)定性功能的過程。

擋/控片是晶圓廠生產環(huán)節(jié)中的重要輔助部件，可用于監(jiān)控制程參數與生產環(huán)境等，同時可以減少成本消耗，是提高產品良率、降低成本的關鍵要素。因此，隨著國內半導體產能不斷擴增，再生晶圓的需求也跟著增加。

擋片介紹

擋片的作用是維持機臺的穩(wěn)定性。在機臺（如PVD、CVD、氧化擴散等）里，如果該批次的片子不滿，用擋片把空余的位置填充起來，維持氣流穩(wěn)定性和均勻性，從而使氣流中的反應氣體與被加工硅片均勻接觸、均勻受熱，發(fā)生化學物理反應，沉淀或生長均勻的高質量薄膜。

控片介紹

控片的作用是監(jiān)控生產機臺和工藝的穩(wěn)定性與可靠性。產品投產之前，需要用控片來試加工一下，檢驗機臺是否正常；產品生產過程中，需要在正片中混雜一些控片，工藝完成后，可以用控片來判斷該批次作業(yè)是否正常。

晶圓再生工藝介紹

● 再生廠對要進行再生的已使用晶圓進行整理歸類，包括表面篩查、晶圓種類的區(qū)分以及幾何參數的設置。

● 芯片制造商使用過的測試片因制程的不同而使其表面受到不同程度的污染，需要通過歸類來決定接下來需要清洗的步驟。

● 測試片是否需要經過剝離程序取決于其表面的狀況。整個程序在自動成批化學品浸濕槽中進行，包括過氧化氫混合物、氫氟酸蝕刻和堿性蝕刻等清洗，工藝體現在氧化劑配方及浸泡時間的控制。

● 經過化學氧化劑將晶圓表面侵蝕，時間過快可能導致剝離不干凈，過慢可能導致侵蝕過度而影響回收次數，另外還需確保不受化學氧化劑的交叉污染。

● 絕緣層較厚的測試晶圓可能需要研磨并去除其他薄膜層和邊緣圓整。研磨工藝和化學機械加工類似，但去除速度快，均勻性也較差。完成研磨后，將執(zhí)行更有統(tǒng)一性和最終拋光的步驟。

● 研磨后的晶圓需要進行拋光，拋光可以是單面和雙面的，通常是通過化學試劑和機械共同進行，同樣拋光過程要避免化學試劑的交叉污染以及注意拋光程度的掌握。拋光最后可能留下殘余顆粒和金屬污染物。

● 最終的清理過程在浸沒槽中完成，包括使用氧化物對拋光程序殘留下的顆粒進行清除。最后再通過表面張力烘干機對測試晶圓進行干燥。整個再生過程涉及多種化學試劑，如果不能完全掌握整個工藝制程，則可能出現機臺間的交叉污染，導致巨大經濟損失。

● 最后檢查階段，晶圓再生廠將進行過再生的測試片通過厚度和缺陷檢測來進行分類，再運回芯片制造廠使用。

可再生指標介紹

厚薄度
晶圓再生的過程就是對測試片的表面進行處理，將蝕刻上去的電路圖、金屬等附著物進行去除的化學、物理過程。
彎曲度
芯片制造的過程可能造成測試片彎曲，當回收的晶圓彎曲度（Bow、Warp）達到一定的數值時將導致晶圓無法被再生。
完整度
測試片在使用的過程中可能造成邊緣缺失或毀壞，如果無法通過邊緣圓整等方式進行修復，則無法繼續(xù)被再生。
Total Thickness Variation
TTV指的是測試品再生后的平坦程度，即晶圓最厚與最薄處的差值。晶圓再生的規(guī)格不同，對TTV的要求也不同。
Metal Contamination
硅片不僅要把殘留顆粒洗到最少，同時還需要減少金屬離子的數量。
Thickness Removal Rate
TRR指同一批晶圓平均去除厚度，越小越好，但是也根據客戶的需求以及測試片的狀況來定，通常這一指標也是芯片制造商用來評價晶圓再生廠服務能力的重要指標之一。
Particle Size
該指標是指晶圓再生表面允許殘留的臟污顆粒的大小，需要跟隨芯片制造廠的進程改進。